深圳ULVAC分子泵维修方案承诺守信「潽拓光电」

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给出不单独设置粗抽管道、不设置高真空阀门的涡轮分子泵抽气系统，这个系统的真空室是直接通过涡轮分子泵进行粗抽的。因为系统上没有粗抽管道，所以就不存在因粗抽管道而带来的污染和切换区域不适当等问题。从结构上看，系统也变得更简单了。它没有粗抽阀、管道和冷阱，也不需要高真空阀，只需要一个电离规和一个热传导规。

每当打开真空室暴露大气时，就必须把整个系统停机，而后再重新启动。这就使得液氮冷却表面使用起来不方便，因为每当系统停机时，必须将冷却表面升温。1-检漏接口阀；2-涡轮分子泵；3-放气阀；4-电离规；5-热传导规；6-真空管路阀；7-电磁放气阀；8-机械泵。图2  不用阀门的涡轮分子泵抽气系统同时，启动涡轮分子泵和机械泵，通过涡轮分子泵进行粗抽，必须正确选配前级机械泵。

如果机械泵的抽速小，它是不能在涡轮分子泵达到很大转速以前把真空室抽到过渡区的。当出现这种情况时，电动机的过流保护电路就会把涡轮分子泵关掉。抽速大小合适、运转适当的机械真空泵应该是在涡轮分子泵达到其额定转速的75%左右时就能把真空室抽到20~200Pa，这样也可防止机械泵油的返流。大多数涡轮分子泵所设计的启动加速时间为5~10min。

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分子泵是氦质谱检漏仪中获得高真空重要部,是氦质谱检漏仪中不可或缺关键部件,分子泵性能直接影响检漏仪性能参数的好坏,分子泵的发展直接影响着氦质谱检漏技术。本文重点讨论分子泵转速对氦质谱检漏的影响。2、逆扩散型检漏仪逆扩散型的检漏仪的检漏口是连接到高真空泵与低真空泵之间,所以被检试件的可检漏压力就是高真泵的前级耐压。如果试件压力超过这个压力,将使高真空泵不能正常工作。普通涡轮分子泵的前级耐压,一般不超过50Pa,远达不到高压检漏的要求。

1980年国际上出现一种称之为“复合型”的分子泵,现今,其前级耐压很高已达2000Pa。这种泵用作氦质谱检漏仪的高真空泵,可直接实现在高的试件压力下的检漏。用复合分子泵构成的一种可实现高压强下的检漏仪,其工作过程如下。当被检试件抽至1500Pa,V1开，氨气逆扩散穿越整个分子泵进入质谱室，实现仪器的逆扩散检漏。

若能进一步将试件抽至200Pa以下，则V2关闭，V3打开，从泵的中间口逆扩散至质谱室，若能进一步将试件抽至40Pa以下，则V3关闭，V4打开，氦气从泵的上部逆扩散进入质谱室，或直接进入质谱室(常规检漏）。这种从高压检大漏到实现检微漏的全自动过程，一气呵成，不仅，也便于漏率的定量，由于每个状态下的阀门流导和泵的压缩比等参数都是固定不变的，仪器只需1次校准即可。

在润滑方面，配备一种新型润滑剂，具备更高的抗老化性、更优化的润滑性能和更强的耐热性，进一步提升真空泵组的安全性能，而且各款泵均可免维护运行5年。涡轮分子泵应用于镀膜机涡轮分子泵应用于镀膜生产线，客户某透明玻璃投射电容技术元件及模组生厂商,产品玻璃触控模组,广泛应用于智能手机中.爱发科涡轮分子泵1500U配置于该企业镀膜生产线中.

涡轮分子泵1500U技术参数

压缩比

Ar:>1X108

H2:6X103

He:2X105

N2:>1X108

抽速

Ar:1350l/s

H2:1150l/s

He:1350l/s

N2:1400l/s

进气口

DN250-ISO-K

极限真空重量

29KG

涡轮分子泵1500U抽速:涡轮分子泵1500对各种气体均有高抽吸能力,高工艺适用性,防止进入颗粒.集成驱动电路,适用于工业环境,通过保护等级IP54.带有气体密封阀24VDC的集成型气体密封系统.涡轮分子泵1500搭配控制器TC1200,通讯接口RS-485,远程遥控（Profibus/DeviceNet型号供选择）,多种配件供客户选择.

半导体产业链IC制造行业属于典型的技术密集型行业，产品技术含量非常高，同时对配套产业要求较高，其中就包括真空设备配套产业。真空设备（真空阀、真空泵、真空腔体及管道等）是半导体各工艺制程环节必备的通用设备，广泛应用于芯片生产制造过程。  半导体制造设备及工艺流程半导体器件的生产制造工艺极其复杂，需要在高纯度硅片上执行一系列精密的物理或者化学操作，例如掺入相应的其它元素、形成多种金属薄膜和绝缘膜、进行表面的刻蚀处理等。

这些复杂的生产制造工艺都需要在分子泵维持的高真空环境下进行，而且对真空系统和真空设备的洁净度也有着很高的要求。分子泵在半导体设备中的应用.在半导体生产制造工艺中，分子泵广泛应用于光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入机等关键设备。光刻机光刻机是生产大规模集成电路的设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握，因此光刻机价格昂贵。

光刻机光刻过程必须在高真空环境中实现，原因是极紫外光很娇贵，在空气中容易损耗。同时，在光刻过程中，设备的动作时间误差以皮秒计，这对磁悬浮分子泵的振动值要求极高。（注：皮秒=兆分之一秒）薄膜沉积指在晶圆表面生成多种薄膜，这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们由不同的材料组成，是使用多种工艺生长或沉积的。